Reports

In the present work pion- and photoinduced nuclear reactions in the $\Delta$ resonance energy region are studied. In particular, we investigate the propagation of the $\Delta$ inside the nucleus [...]

Ziel der Arbeit war es, Verfahren zu entwickeln, die es ermöglichen, Kohlenstoffasern in Form von Gewebe und Kurzfasern in eine SiSiC/MoSi$_{2}$-Matrix einzulagern. Die Ergebnisse der Arbeit lassen sich wie folgt zusammenfassen: Um die Kohlenstoffasern vor der Zerstörung durch fluides Silizium zu schlitzen, mußtendie Fasern bzw.Gewebe mit einer SiC-Schicht versehen werden. [...]

In dieser Arbeit werden $\Delta$ - Anregungen in Kernen unter besonderer Berücksichtigung der Zerfallskanäle untersucht. Dabei wird der Kemreaktionsteil in derDistorted Wave Impulse Approximation, der Kernstrukturteil im $\Delta$ - Loch - Modell und die Zerfallskanäle mikroskopisch durch Überlapp der berechneten $\Delta$ - Loch - Wellenfunktion mit den Wellenfunktionen der Zerfallsteilchen behandelt. [...]

Ziel dieser Arbeit war es mittels $^{13}$C - NMR Spektroskopie die Flußverteilungen über die parallelen Stoffwechselwege: Diaminopimelat-dehydrogenase/Succinylase, Pentosephosphat-Weg/Glycolyse sowie den Fluß über den Tricarbonsäure-Cyclus in $\textit{C. glutamicum}$ unter Produktions- und Wachstums - Bedingungen zu bestimmen. [...]

Ziel der Arbeit war es, Verfahren zu entwickeln, die es ermöglichen, Naturfaser in eine SiC-Matrix einzulagern. In der vorliegenden Arbeit konnten lediglich die Grundlagen dafür erarbeitet werden. [...]

The density of two-dimensional Pt-nuclei in the Pt/Pt(111)-growth-system decreases with increasing deposition temperature. This behaviour is in line with predictions of traditional nucleation theories and holds up to about 450K. [...]

In der vorliegenden Arbeit wurden Ga$_{1-x}$ In$_{x}$As/InP-Heterostrukturen nach dem Verfahren der metallorganischen Gasphasenepitaxie hergestellt, ihre strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften untersucht und im Hinblick auf HEMT-Anwendungen optimiert. Für die Herstellung der Schichten mit einer bestehenden Niederdruck-MOVPE-Anlage wurde dazu zunächst ein Prozeß etabliert, mit dem hochreine InP- und Ga$_{0,47}$In$_{0,53}$As-Schichten von sehr guter Kristallinität abgeschieden werden konnten [...]