Conference Presentation (Other)

FZJ-2024-00332

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Growth and Resistive Switching Properties of Single Crystalline HfO2 Thin Films

Goß, K.FZJ* ; Trstenjak, U. ; Pingen, K. ; Gutsche, A.FZJ* ; Jo, J.FZJ* ; Hou, X. ; Dunin-Borkowski, R.FZJ* ; Dittmann, R.FZJ*

2023

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)
3. JARA Institut Green IT (PGI-10)
4. Physik Nanoskaliger Systeme (ER-C-1)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
3. DFG project 167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)

Appears in the scientific report 2023

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