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Engineering the kinetics of redox-based memristive devices for neuromorphic computing
Dittmann, R.FZJ* ; Sarantopoulos, A.FZJ* ; Bengel, C.FZJ* ; Gutsche, A.FZJ* ; Cüppers, F.FZJ* ; Hoffmann-Eifert, S.FZJ* ; Menzel, S.FZJ*
2023
2023IEEE Int. Electron Devices Meeting, IEDM, San FranciscoSan Francisco, USA, 9 Dec 2023 - 13 Dec 20232023-12-092023-12-13
Contributing Institute(s):
- Elektronische Materialien (PGI-7)
- JARA-FIT (JARA-FIT)
- JARA Institut Green IT (PGI-10)
Research Program(s):
- 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
- BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
- BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
- BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
- DFG project 167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)
Appears in the scientific report
2023