Conference Presentation (Invited)

FZJ-2024-00357

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Heterogeneous integration of HfO2 resistive random access memories on 2D van der Waals materials

Trstenjak, U. ; Schmidt, N.FZJ* ; Goß, K.FZJ* ; Gutsche, A.FZJ* ; Rushchanskii, K.FZJ* ; Karthäuser, S. ; Dittmann, R.FZJ*

2023

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)
3. JARA Institut Green IT (PGI-10)
4. Quanten-Theorie der Materialien (PGI-1)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
3. DFG project 167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)
4. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)

Appears in the scientific report 2023

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