Hauptseite > Publikationsdatenbank > Low contact resistance of NiGeSn on n-GeSn > print

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536 _ _ |a Verbundprojekt: Erforschung nanoelektronischer Höchstleistungs-Bauelemente für innovative Elektronik auf Basis neuer Materialsysteme - ForMikro-SiGeSn-NanoFETs - , Teilvorhaben: CVD-basierte Herstellung von SiGeSn-Halbleiterheterostrukturen und vertikalen (16ES1074)
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Marc 21