Conference Presentation (Other)

FZJ-2024-01434

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Temperature-dependent Current Voltage Measurements in Hexagonal Boron Nitride Threshold Memristors with Nickel Electrodes

Völkel, L. ; Braun, D. ; Belete, M. ; Kataria, S. ; Wahlbrink, T. ; Ran, K. ; Kistermann, K. ; Mayer, J.FZJ* ; Menzel, S.FZJ* ; Daus, A. ; Lemme, M. C.

2023

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)
3. Materialwissenschaft u. Werkstofftechnik (ER-C-2)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
3. BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
4. BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)

Appears in the scientific report 2023

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