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Engineering the kinetics of redox-based memristive devices for neuromorphic computing
Dittmann, R.FZJ* ; Sarantopoulos, A.FZJ* ; Bengel, C. ; Gutsche, A.FZJ* ; Cüppers, F.FZJ* ; Hoffmann-Eifert, S.FZJ* ; Menzel, S.
2023
IEEE
20232023 International Electron Devices Meeting (IEDM), San FranciscoSan Francisco, CA, 9 Dec 2023 - 13 Dec 20232023-12-092023-12-13
IEEE 1 pp. (2023) [10.1109/IEDM45741.2023.10413803]2023
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Contributing Institute(s):
- Elektronische Materialien (PGI-7)
- JARA-FIT (JARA-FIT)
- JARA Institut Green IT (PGI-10)
Research Program(s):
- 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
- BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
- BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
- BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
Appears in the scientific report
2023