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Electronic- and Micro-Structure of Al2O3/TiOx-Memristive Cells Switched in Filamentary- and Area-Mode and Consequences for Neural Network Inference Tasks
Hoffmann-Eifert, S.FZJ* ; Cüppers, F.FZJ* ; Funck, C. ; Menzel, S.FZJ* ; Dittmann, R.FZJ* ; Waser, R.FZJ* ; Werner, S. ; Pratsch, C. ; Jo, J.FZJ* ; Dunin-Borkowski, R.FZJ*
2024
20242nd IEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVTMS2024, BusanBusan, South Korea, 20 Oct 2024 - 23 Oct 20242024-10-202024-10-23
Contributing Institute(s):
- Elektronische Materialien (PGI-7)
- JARA Institut Green IT (PGI-10)
- JARA-FIT (JARA-FIT)
Research Program(s):
- 5234 - Emerging NC Architectures (POF4-523) (POF4-523)
- BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
- BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
- BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
- DFG project G:(GEPRIS)167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)
Appears in the scientific report
2024
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