Conference Presentation (Invited)

FZJ-2025-00308

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Engineering the kinetics of valence change memory devices for neuromorphic computing

Dittmann, R.FZJ* ; Sarantopoulos, A.FZJ* ; Bengel, C. ; Gutsche, A.FZJ* ; Cüppers, F.FZJ* ; Hoffmann-Eifert, S.FZJ* ; Menzel, S.FZJ*

2024

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA Institut Green IT (PGI-10)
3. JARA-FIT (JARA-FIT)

Research Program(s):

1. 5234 - Emerging NC Architectures (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
3. BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
4. BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
5. DFG project G:(GEPRIS)167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)

Appears in the scientific report 2024

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