Patent

FZJ-2025-01990

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Schaltkreis für das Einstellen eines Memristors

Grewing, C.FZJ*

2024

Patent No.: EP4462432A1; 24159679.0

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Schaltkreis mit einem Analog-Digital-Wandler (1), einem Operationsverstärker (2), einem Memristor (3) und einem Transistor (4), wobei der Ausgang des Analog-Digital-Wandlers (1) mit dem einen ersten Eingang des Operationsverstärkers (2) elektrisch leitend verbunden ist und der Drain-Anschluss des Transistors (4) sowie ein erster elektrischer Anschluss des Memristors (4) mit dem anderen zweiten Eingang des Operationsverstärkers (2) elektrisch leitend verbunden sind und wobei der Ausgang des Operationsverstärkers (2) mit dem Gate-Anschluss des Transistors (4) elektrisch leitend verbunden ist. Durch den Schaltkreis kann eine gewünschte Spannung sehr genau an den Memristor (3) angelegt werden. Der Schaltkreis kann für Rechenoperationen genutzt werden.

---

Contributing Institute(s):

1. Integrated Computing Architectures (PGI-4)

Research Program(s):

1. 5234 - Emerging NC Architectures (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)

Appears in the scientific report 2024; 2025

---