Patent

FZJ-2026-02058

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png P-i-n - Bauteil und Verfahren zur Herstellung

Pawlis, A.FZJ* ; von den Driesch, N.FZJ* ; Kutovyi, Y.FZJ* ; Bennemann, B.FZJ* ; Krause, C.FZJ* ; Falter, C.FZJ*

2025

Patent No.: DE102024201035A1; 102024201035.9

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Contributing Institute(s):

1. Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
2. JARA Institut Green IT (PGI-10)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)

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