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@PHDTHESIS{Berginski:1265,
      author       = {Berginski, Michael},
      title        = {{L}ichtstreuende {O}berflächen, {S}chichten und
                      {S}chichtsysteme zur {V}erbesserung der {L}ichteinkopplung
                      in {S}ilizium-{D}ünnschichtsolarzellen},
      volume       = {5},
      issn         = {1866-1793},
      school       = {RWTH Aachen},
      type         = {Dr. (Univ.)},
      address      = {Jülich},
      publisher    = {Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag},
      reportid     = {PreJuSER-1265},
      isbn         = {978-3-89336-516-6},
      series       = {Schriften des Forschungszentrums Jülich : Energie $\&$
                      Umwelt / Energy $\&$ Environment},
      pages        = {XV, 171 S.},
      year         = {2008},
      note         = {Record converted from VDB: 12.11.2012; Aachen, RWTH, Diss.,
                      2007},
      abstract     = {Eine Solarzelle ist ein optoelektronisches Bauelement,
                      welches die im Licht enthaltene Energie direkt in
                      elektrische Energie umwandelt. Der zugrunde liegende
                      photovoltaische Effekt wurde von Becquerel im Jahre 1837
                      entdeckt. Die erste Silizium-Solarzelle stellten Chapin,
                      Fuller und Pearson in den Bell Laboratories im Jahre 1953
                      her. In der Folgezeit (seit 1958) wurden Solarzellen vor
                      allem in der Raumfahrt eingesetzt. Den Weg für den
                      terrestrischen Einsatz ebneten eine signifikante
                      Kosteneinsparung und Verbesserung der auf kristallinem
                      Silizium basierenden Solarzellen sowie die Entwicklung von
                      diversen weiteren Solarzellenkonzepten [1–3]. Gegenwärtig
                      wird der photovoltaische Weltmarkt zu ca. $95\%$ von Zellen
                      auf Basis von kristallinem Silizium dominiert [4]. Der
                      übrige Anteil entfällt fast ausschließlich auf
                      Dünnschichtansätze auf Basis von amorphem Silizium (ca.
                      $4\%$ Weltmarktanteil), Cadmiumtellurid (CdTe, ca. $1\%)$
                      und Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (CIGS: Cu(In,Ga)(S,Se),
                      < $1\%).$ Trotz des derzeitig geringen Weltmarktanteils wird
                      den Dünnschichtansätzen vielfach ein sehr großes
                      zukünftiges Marktpotential zugesprochen [5–7]. Sie werden
                      vermutlich zu den photovoltaischen Technologien gehören,
                      die durch signifikante Kostenreduktion das Preisziel von 1
                      €/Watt erreichen können. Auf mittlere Sicht sind niedrige
                      Produktionskosten notwendig, damit der Preis von
                      photovoltaisch erzeugtem Strom mit dem von Strom aus dem
                      öffentlichen Netz konkurrieren kann. Ein wesentlicher
                      Schlüssel zur merklichen Kostenreduktion ist eine
                      erhebliche Ausweitung der Produktionskapazität [5, 6, 8].
                      Hinsichtlich dieses Aspekts kommt der
                      Dünnschichttechnologie auf Basis von amorphem Silizium eine
                      besondere Stellung zu, da sie – entgegen der Technologien
                      auf Basis von CdTe und CIGS – keine seltenen, teuren oder
                      giftigen Elemente verwendet [6]. Bezüglich des
                      Wirkungsgrads für die Energieumwandlung (Effizienz $\eta$)
                      belegen Dünnschichtsolarzellen auf Basis von amorphem
                      Silizium keine Spitzenplätze. Sie sind dennoch sowohl
                      ökologisch als auch ökonomisch interessant. Niedrige
                      Temperaturen und daher ein geringer Energieaufwand in der
                      Herstellung ermöglichen vergleichsweise kurze
                      Energierücklaufzeiten von ca. einem Jahr [9]. Die
                      großflächige Dünnschichttechnologie verspricht eine
                      kostengünstige Herstellung. Ferner wandeln
                      Silizium-Dünnschichtsolarzellen bei gleicher installierter
                      Maximalleistung unter realen Einsatzbedingungen gegenüber
                      Modulen auf Basis von kristallinem Silizium im Schnitt 10\%
                      bis 20\% mehr Energie um [5]. Der photovoltaisch aktive
                      Bereich einer Silizium-Dünnschichtsolarzelle besteht aus
                      einer insgesamt ca. 250nm bis maximal ca. 5 $\mu$m dicken
                      $\textit{p-i-n}$ Struktur: eine intrinsische (d.h. nominell
                      undotierte) Siliziumschicht zwischen zwei ($\textit{p-}$
                      bzw. $\textit{n-}$) dotierten Siliziumschichten. Die
                      Photonen gelangen durch die sehr dünne
                      $\textit{p-}$-dotierte Schicht in das Bauelement. In der
                      intrinsischen Schicht werden sie absorbiert und generieren
                      Elektron-Loch-Paare. Das von den $\textit{p-}$ und [...]},
      cin          = {IEF-5},
      ddc          = {333.7},
      cid          = {I:(DE-Juel1)VDB813},
      pnm          = {ohne FE},
      pid          = {G:(DE-Juel1)FUEK307},
      typ          = {PUB:(DE-HGF)11 / PUB:(DE-HGF)3},
      url          = {https://juser.fz-juelich.de/record/1265},
}