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@INPROCEEDINGS{Finken:133675,
      author       = {Finken, M. and Holländer, Bernhard and Heuken, M. and
                      Kalisch, H. and Vescan, A.},
      title        = {{U}ntersuchungen zum {I}ndiumeinbau und zur {R}elaxation in
                      {I}n{G}a{N}‐{S}chichten für die
                      solare{W}asserstofferzeugung},
      reportid     = {FZJ-2013-02086},
      year         = {2012},
      abstract     = {Untersuchungen zum Indiumeinbau und zur Relaxation in
                      InGaN-Schichten für die solare Wasserstofferzeugung M.
                      Finken1, B. Holländer2,3, M. Heuken1,4, H. Kalisch1, A.
                      Vescan1 1 RWTH Aachen University, GaN Device Technology,
                      Sommerfeldstrasse 24, 52074 Aachen, Germany 2
                      Forschungszentrum Jülich GmbH, PGI9-IT, 52425 Jülich,
                      Germany 3 Jülich Aachen Research Alliance, JARA-FIT 4
                      AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany Bei
                      der photoelektrochemischen Synthese von Wasserstoff mit
                      Hilfe von Halbleiterschichten muss ein Optimum für die
                      Bandlücke des verwendeten Materials gefunden werden, das
                      zum einen ein möglichst großes Absorptionsspektrum im
                      sichtbaren Licht besitzt, zum anderen eine ausreichend
                      große Potenzialdifferenz für die Wasserspaltung liefert.
                      Indiumgalliumnitrid ist ein ideales Material für diese
                      Anwendung, da sich die Bandlücke des ternären Halbleiters
                      in Abhängigkeit vom Indiumgehalt zwischen 0,7 eV (InN) und
                      3,438 eV (GaN) variieren lässt. Aufgrund einer
                      Mischungslücke und des Einflusses von Verspannungen
                      zwischen einer InGaN-Schicht und dem Substrat lassen sich
                      jedoch praktisch nicht beliebig hohe In-Gehalte realisieren.
                      Es wird zunächst der Einfluss der Wachstumstemperatur
                      während der Gasphasenepitaxie auf die Zusammensetzung und
                      die Struktureigenschaften untersucht. Die 100 nm dicken
                      InGaN-Schichten werden mittels Röntgendiffraktometrie und
                      Rutherford-Rückstreu-Spektrometrie untersucht. Dabei zeigt
                      sich, dass der In-Gehalt für niedrigere Temperaturen an der
                      Grenzfläche absättigt. Erst durch das weitere Wachstum und
                      die Relaxation der Schicht kann zur Oberfläche hin mehr
                      Indium eingebaut werden. Dadurch sinkt jedoch die
                      Kristallqualität der wachsenden Schicht. In Zukunft wird
                      untersucht, welchen Einfluss die abnehmende
                      Kristallqualität auf die tatsächliche Effektivität der
                      photoelektrochemischen Erzeugung von Wasserstoff hat.
                      Abbildung 1: Mittels Rutherford-Rückstreu-Spektrometrie
                      bestimmter In-Gehalt an der Oberfläche und an der
                      Grenzfläche zum GaN von 100 nm dicken InGaN Schichten,
                      bezogen auf die Oberflächentemperatur. Zusätzlich 5 µm *
                      5 µm große AFM Bilder der Oberflächen, jeweils bei 740
                      °C und 800 °C},
      month         = {Dec},
      date          = {2012-12-06},
      organization  = {27. DGKK-Workshop "Epitaxie von
                       III/V-Halbleitern, Erlangen (germany),
                       6 Dec 2012 - 7 Dec 2012},
      subtyp        = {Other},
      cin          = {PGI-9 / JARA-FIT},
      cid          = {I:(DE-Juel1)PGI-9-20110106 / $I:(DE-82)080009_20140620$},
      pnm          = {421 - Frontiers of charge based Electronics (POF2-421)},
      pid          = {G:(DE-HGF)POF2-421},
      typ          = {PUB:(DE-HGF)6},
      url          = {https://juser.fz-juelich.de/record/133675},
}