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@PHDTHESIS{Khler:139264,
      author       = {Köhler, Florian},
      title        = {{Z}ur {M}ikrostruktur siliziumbasierter {D}ünnschichten
                      für die {P}hotovoltaik},
      volume       = {176},
      school       = {RWTH Aachen},
      type         = {Dissertation},
      address      = {Jülich},
      publisher    = {Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag},
      reportid     = {FZJ-2013-05267},
      isbn         = {978-3-89336-876-1},
      series       = {Schriften des Forschungszentrums Jülich Reihe Energie $\&$
                      Umwelt / Energy $\&$ Environment},
      pages        = {103},
      year         = {2013},
      note         = {Dissertation, RWTH Aachen, 2012},
      abstract     = {Amorph oder kristallin? Diese Frage ist auf den ersten
                      Blick eindeutig zu beantworten. Besteht der Festkörper aus
                      einem exakt periodisch aufgebautem Atomgitter, ist er
                      kristallin. Fehlt diese Periodizität, ist er amorph.
                      Tatsächlich existieren jedoch auch Mischphasen, die beide
                      Komponenten enthalten. Und selbst innerhalb dieser Phasen
                      gibt es Unterschiede zwischen verschiedenen Graden der
                      Ordnung oder Unordnung der Atome. So lassen sich in amorphen
                      Materialien Längenskalen (Korrelationslängen) definieren,
                      auf denen eine gewisse Nahordnung bezogen auf nächste oder
                      übernächste Nachbarn durchaus noch vorhanden ist. In
                      Kristallen dagegen kann die Ordnung beispielsweise durch
                      Stapelfehler der Gitternetzebenen oder eine hohe Dichte an
                      Korngrenzen gestört sein. Eine periodische Folge von
                      Stapelfehlern kann dabei zu völlig neuen Kristallformen
                      (Polytypen) führen. Auch sind Abweichungen in der
                      bevorzugten Stapelrichtung (Textur) der Netzebenen denkbar.
                      Diese Störungen können sich alle wiederum auf andere
                      Eigenschaften des Materials wie elektrische oder thermische
                      Leitfähigkeit oder die spektrale Absorption auswirken. In
                      der vorliegenden Arbeit werden dünne Schichten, die in der
                      Photovoltaik Anwendung finden, im Hinblick auf ihre atomare
                      Ordnung und Unordnung untersucht. Die Nutzung von
                      Dünnschichtsolarzellen in der Photovoltaik hat sich in den
                      letzten Jahren aufgrund des geringeren Materialeinsatzes und
                      dem damit verbundenen Kostenreduktionspotential gegenüber
                      einkristallinen Solarzellen etabliert. Insbesondere die
                      Verwendung von siliziumbasierten Dünnschichten bietet den
                      Vorteil einer nahezu unbegrenzten Verfügbarkeit von
                      Silizium, dessen Masseanteil an der Erdhülle etwa $26\%$
                      beträgt. Als Absorberschichten bieten sich unterschiedliche
                      Modifikationen von Silizium an: Zum einen das
                      hydrogenisierte mikrokristalline Silizium ($\mu$c-Si:H) mit
                      einer Bandlücke von 1,1 eV, zum anderen das hydrogenisierte
                      amorphe Silizium (a-Si:H) mit einer sogenannten
                      „quasi-Bandlücke“ von etwa 1,8 eV. Da diese
                      Modifikationen aufgrund der unterschiedlichen Bandlücke
                      nicht denselben Teil des Sonnenspektrums ausnutzen, kann man
                      in sogenannten Tandemzellen, also einer Kombination dieser
                      Materialien, Spitzenwirkungsgrade von über 13\% erreichen,
                      während bei Einzelzellen aus dem jeweiligen Material
                      $\textit{stabilisierte}$ Wirkungsgrade von bis zu 10\%
                      erzielt werden können. Die Angabe eines stabilisierten
                      Wirkungsgrades ist gerade bei Absorberschichten aus a-Si:H
                      wichtig, da diese einer signifikanten lichtinduzierten
                      Degradation unterliegen.Die Abweichungen zwischen initialem
                      und stabilisiertem Wirkungsgrad von a-Si:H Solarzellen
                      liegen vorwiegend im Bereich zwischen 15\% und 35\%. Ursache
                      für diese Materialdegradation ist die Bildung von
                      elektronischen Defekten durch Überschussladungsträger
                      (Staebler-Wronski-Effekt). Man geht davon aus, dass
                      schwächere Si–Si-Bindungen unter Lichteinwirkung leichter
                      [...]},
      keywords     = {Dissertation (GND)},
      cin          = {IEF-5 / IEK-5},
      cid          = {I:(DE-Juel1)VDB813 / I:(DE-Juel1)IEK-5-20101013},
      pnm          = {899 - ohne Topic (POF2-899)},
      pid          = {G:(DE-HGF)POF2-899},
      typ          = {PUB:(DE-HGF)3 / PUB:(DE-HGF)11},
      urn          = {urn:nbn:de:hbz:82-opus-44017},
      url          = {https://juser.fz-juelich.de/record/139264},
}