Details of the Mass Transfers during Growth and Capping of In(Ga)As/GaAs Quantum Dots - JuSER

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Conference Presentation (Invited)

Details of the Mass Transfers during Growth and Capping of In(Ga)As/GaAs Quantum Dots

Eisele, H. (Corresponding author) ; Lenz, A. ; Ebert, P.FZJ* ; Liu, N. ; Prohl, C. ; Dähne, M. ; Shih, C. K.

2013

40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, Japan, 19 May 2013 - 23 May 2013

Contributing Institute(s):

Mikrostrukturforschung (PGI-5)

Research Program(s):

421 - Frontiers of charge based Electronics (POF2-421) (POF2-421)

Appears in the scientific report 2013

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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
Institutssammlungen > ER-C > ER-C-1
Institutssammlungen > PGI > PGI-5
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank

Datensatz erzeugt am 2013-11-20, letzte Änderung am 2024-06-10

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