Mass Transfers during Growth and Capping of In(Ga)As/GaAs Quantum Dots - JuSER

Gast :: Anmelden JuSER
		Suchen		Absenden		Personalisieren Ihre Benachrichtigungen Ihre Körbe Ihre Suchanfragen		Hilfe

Hauptseite > Publikationsdatenbank > Mass Transfers during Growth and Capping of In(Ga)As/GaAs Quantum Dots

Conference Presentation (Other)

Mass Transfers during Growth and Capping of In(Ga)As/GaAs Quantum Dots

Eisele, H. (Corresponding author) ; Liu, A. N. ; Ebert, P.FZJ* ; Dähne, M. ; Shih, C. K.

2013

Electronic Materials Conference 2013, South Bend, Indiana USA, 26 Jun 2013 - 28 Jun 2013

Contributing Institute(s):

Mikrostrukturforschung (PGI-5)

Research Program(s):

421 - Frontiers of charge based Electronics (POF2-421) (POF2-421)

Appears in the scientific report 2013

Click to display QR Code for this record

The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
Institutssammlungen > ER-C > ER-C-1
Institutssammlungen > PGI > PGI-5
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank

Datensatz erzeugt am 2013-11-20, letzte Änderung am 2024-06-10

Ähnliche Datensätze

Dieses Dokument bewerten:

1

2

3

4

(Bisher nicht rezensiert)

Zum persönlichen Korb hinzufügen
Export als Author List with IDs BibTeX (UTF-8), EndNote XML, EndNote Text, RIS, MARC, Print MARC, MARCXML, DC,
Request correction
Submit fulltext

JuSER :: :: :: ::
Powered by v1.1.7 |
Verwaltet von

Impressum | Data Privacy Policy

Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch English