Hauptseite > Publikationsdatenbank > SiGeSn epitaxial layers on Ge virtual substrates: Raman scattering and ellipsometry studies
 
Conference Presentation (Other) FZJ-2013-06790
http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
SiGeSn epitaxial layers on Ge virtual substrates: Raman scattering and ellipsometry studies

 ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;

2013

E-MRS 2013 Fall Meeting, WarsawWarsaw, Poland, 16 Sep 2013 - 20 Sep 20132013-09-162013-09-20

Contributing Institute(s):
  1. Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
Research Program(s):
  1. 421 - Frontiers of charge based Electronics (POF2-421) (POF2-421)

Appears in the scientific report 2013
Click to display QR Code for this record

The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
 Datensatz erzeugt am 2013-12-30, letzte Änderung am 2021-01-29
Ähnliche Datensätze



Dieses Dokument bewerten:

Rate this document:
1
2
3
4
5
 
(Bisher nicht rezensiert)
JuSER :: Suchen :: Absenden :: Personalisieren :: Hilfe
Powered by Invenio v1.1.7 | join2_v2510-2-gd5e4e3e
Verwaltet von juser@fz-juelich.de

Impressum | Data Privacy Policy
Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch  English