Diploma Thesis

PreJuSER-25528

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png MBE growth of AlGaN/GaN heterostructures for resonant tunneling diode applications

Dona, E.FZJ*

2002

Note: Record converted from VDB: 12.11.2012
Note: Modena e Reggio Emilia, Univ., Dipl., 2002

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Contributing Institute(s):

1. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)

Research Program(s):

1. Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik (I01)

Appears in the scientific report 2002

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