000037527 001__ 37527
000037527 005__ 20180210140458.0
000037527 037__ $$aPreJuSER-37527
000037527 1001_ $$0P:(DE-Juel1)VDB5425$$aJavorka, P.$$b0$$uFZJ
000037527 245__ $$aFabrication and Characterization of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
000037527 260__ $$aJülich$$bFZJ, Institut für Schichten und Grenzflächen$$c2004
000037527 3367_ $$0PUB:(DE-HGF)11$$2PUB:(DE-HGF)$$aDissertation / PhD Thesis
000037527 3367_ $$02$$2EndNote$$aThesis
000037527 3367_ $$2DRIVER$$adoctoralThesis
000037527 3367_ $$2BibTeX$$aPHDTHESIS
000037527 3367_ $$2DataCite$$aOutput Types/Dissertation
000037527 3367_ $$2ORCID$$aDISSERTATION
000037527 500__ $$aRecord converted from VDB: 12.11.2012
000037527 502__ $$aAachen, Techn. Hochsch., Diss., 2004$$bDr. (FH)$$cTechn. Hochsch. Aachen$$d2004
000037527 536__ $$0G:(DE-Juel1)FUEK252$$2G:(DE-HGF)$$aMaterialien, Prozesse und Bauelemente für die  Mikro- und Nanoelektronik$$cI01$$x0
000037527 655_7 $$aHochschulschrift$$xDissertation (FH)
000037527 909CO $$ooai:juser.fz-juelich.de:37527$$pVDB
000037527 9131_ $$0G:(DE-Juel1)FUEK252$$bInformation$$kI01$$lInformationstechnologie mit nanoelektronischen Systemen$$vMaterialien, Prozesse und Bauelemente für die  Mikro- und Nanoelektronik$$x0
000037527 9141_ $$y2004
000037527 9201_ $$0I:(DE-Juel1)VDB41$$d31.12.2006$$gISG$$kISG-1$$lInstitut für Halbleiterschichten und Bauelemente$$x0
000037527 970__ $$aVDB:(DE-Juel1)46386
000037527 980__ $$aVDB
000037527 980__ $$aConvertedRecord
000037527 980__ $$aphd
000037527 980__ $$aI:(DE-Juel1)PGI-9-20110106
000037527 980__ $$aUNRESTRICTED
000037527 981__ $$aI:(DE-Juel1)PGI-9-20110106