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Dissertation / PhD Thesis PreJuSER-37531
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Einfluss der Schichteigenschaften auf das elektrische und optoelektrische Verhalten von AlGaN/GaN HEMT Transistoren



2004
FZJ, Institut für Schichten und Grenzflächen Jülich

Jülich : FZJ, Institut für Schichten und Grenzflächen () = Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2004


Note: Record converted from VDB: 12.11.2012
Note: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2004
Contributing Institute(s):
  1. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)
Research Program(s):
  1. Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik (I01)

Appears in the scientific report 2004
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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Hochschulschriften > Doktorarbeiten
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
 Datensatz erzeugt am 2012-11-13, letzte Änderung am 2018-02-10
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