Hauptseite > Publikationsdatenbank > Fabrication and Characterisation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for Power Applications > print

001     50334
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100 1 _ |a Bernát, J.
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|u FZJ
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245 _ _ |a Fabrication and Characterisation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for Power Applications
260 _ _ |a Jülich
|b FZJ, Institut für Schichten und Grenzflächen
|c 2005
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502 _ _ |a Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2005
|b Dr. (FH)
|c Techn. Hochsch. Aachen
|d 2005
536 _ _ |a Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik
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|x Dissertation (FH)
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|v Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik
|l Informationstechnologie mit nanoelektronischen Systemen
|b Information
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920 1 _ |k ISG-1
|l Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente
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|l Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology
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Marc 21