Home > Publications database > Vergleich der Oberflächendurchbruchspannung von LT-, n- und Sl-GaAs > print

001     50338
005     20180211172151.0
037 _ _ |a PreJuSER-50338
100 1 _ |a Fahad, M. H.
|b 0
|u FZJ
|0 P:(DE-Juel1)VDB59376
245 _ _ |a Vergleich der Oberflächendurchbruchspannung von LT-, n- und Sl-GaAs
260 _ _ |a Jülich
|b FZJ, Institut für Schichten und Grenzflächen
|c 2005
336 7 _ |a Diploma Thesis
|0 PUB:(DE-HGF)10
|2 PUB:(DE-HGF)
336 7 _ |a Thesis
|0 2
|2 EndNote
336 7 _ |a Output Types/Supervised Student Publication
|2 DataCite
336 7 _ |a masterThesis
|2 DRIVER
336 7 _ |a SUPERVISED_STUDENT_PUBLICATION
|2 ORCID
336 7 _ |a MASTERSTHESIS
|2 BibTeX
500 _ _ |a Record converted from VDB: 12.11.2012
502 _ _ |a Aachen, Techn. Hochsch., Dipl., 2005
|b Diplom (FH)
|c Techn. Hochsch. Aachen
|d 2005
536 _ _ |a Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik
|c I01
|2 G:(DE-HGF)
|0 G:(DE-Juel1)FUEK252
|x 0
655 _ 7 |a Hochschulschrift
|x Diploma Thesis (FH)
909 C O |o oai:juser.fz-juelich.de:50338
|p VDB
913 1 _ |k I01
|v Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik
|l Informationstechnologie mit nanoelektronischen Systemen
|b Information
|0 G:(DE-Juel1)FUEK252
|x 0
914 1 _ |y 2005
920 1 _ |k ISG-1
|l Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente
|d 31.12.2006
|g ISG
|0 I:(DE-Juel1)VDB41
|x 0
920 1 _ |k CNI
|l Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology
|d 14.09.2008
|g CNI
|z 381
|0 I:(DE-Juel1)VDB381
|x 1
970 _ _ |a VDB:(DE-Juel1)78603
980 _ _ |a VDB
980 _ _ |a ConvertedRecord
980 _ _ |a diploma
980 _ _ |a I:(DE-Juel1)PGI-9-20110106
980 _ _ |a I:(DE-Juel1)VDB381
980 _ _ |a UNRESTRICTED
981 _ _ |a I:(DE-Juel1)PGI-9-20110106
981 _ _ |a I:(DE-Juel1)VDB381

LibraryCollectionCLSMajorCLSMinorLanguageAuthor
Marc 21