Conference Presentation (Invited) PreJuSER-51116

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
Dislocation Based Resistive Switching in Insulating Perovskites - An Opportunity for Nanoscale Non-Volatile Memories?

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2006

International Symposium on Integrated Ferroelectrics
Seminar, HawaiiHawaii, 23 Apr 20062006-04-23


Note: Record converted from VDB: 12.11.2012

Contributing Institute(s):
  1. Elektronische Materialien (IFF-IEM)
  2. Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI)
  3. Wissenschaftlich-Technische Planung (WTP)
  4. Theorie I (IFF-TH-I)
Research Program(s):
  1. Grundlagen für zukünftige Informationstechnologien (P42)

Appears in the scientific report 2006
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Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
Institutssammlungen > PGI > PGI-7
Institutssammlungen > PGI > PGI-1
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 Datensatz erzeugt am 2012-11-13, letzte Änderung am 2018-02-11



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