TY  - CONF
AU  - Pandey, R.
AU  - Schulte-Braucks, Christian
AU  - Sajjad, R. N.
AU  - Barth, M.
AU  - Gosh, R. K.
AU  - Grisafe, B.
AU  - Sharma, P.
AU  - von den Driesch, Nils
AU  - Vohra, A.
AU  - Rayner, B.
AU  - Loo, R.
AU  - Mantl, Siegfried
AU  - Buca, Dan Mihai
AU  - Yeh, C-C.
AU  - Wu, C-H.
AU  - Tsai, W.
AU  - Antoniadis, D.
AU  - Datta, S.
TI  - Performance Benchmarking of p-type In0.65Ga0.35As/GaAs0.4Sb0.6 andGe/Ge0.93Sn0.07 Hetero-junction Tunnel FETs
M1  - FZJ-2017-00086
SP  - 19.6.1-19.6.4
PY  - 2016
T2  - 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
CY  - 5 Dec 2016 - 7 Dec 2016, San Francisco (USA)
Y2  - 5 Dec 2016 - 7 Dec 2016
M2  - San Francisco, USA
LB  - PUB:(DE-HGF)8
UR  - https://juser.fz-juelich.de/record/825781
ER  -