Conference Presentation (Other)

FZJ-2017-00390

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png MOVPE of Ge1Sb2Te4: a model material for energy-saving non-volatile memories

Hardtdegen, H. (Corresponding author)FZJ* ; Riess, S.FZJ* ; Schuck, M.FZJ* ; ratajczak, A.FZJ* ; Keller, K.FZJ* ; Jost, P.RWTH* ; Bornhöfft, M.FZJ* ; Du, H.FZJ* ; Schwedt, A.RWTH* ; Mayer, J.FZJ* ; Roth, G.RWTH* ; Mussler, G.FZJ* ; von der Ahe, M.FZJ* ; Grützmacher, D.FZJ* ; Mikulics, M.FZJ*

2016

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Contributing Institute(s):

1. Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
2. Materialwissenschaft u. Werkstofftechnik (ER-C-2)
3. Mikrostrukturforschung (PGI-5)

Research Program(s):

1. 523 - Controlling Configuration-Based Phenomena (POF3-523) (POF3-523)

Appears in the scientific report 2016

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Database coverage:
No Authors Fulltext

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