Einsatz eines Mikrowellen-Spitzenmeßplatzes zur Charakterisierung von Transistoren direkt auf dem Wafer im Frequenzbereich von 0,045 bis 26,5 GHz

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Einsatz eines Mikrowellen-Spitzenmeßplatzes zur Charakterisierung von Transistoren direkt auf dem Wafer im Frequenzbereich von 0,045 bis 26,5 GHz - FZJ-2018-03430

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