Photoemissionsspektroskopische Untersuchungen zum Einfluß heterovalenter Grenzflächen auf die Banddiskontinuität von GaAs(100)/Ge und III-V Halbleiterkontakten

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Photoemissionsspektroskopische Untersuchungen zum Einfluß heterovalenter Grenzflächen auf die Banddiskontinuität von GaAs(100)/Ge und III-V Halbleiterkontakten - FZJ-2018-04523

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