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@TECHREPORT{Dmel:859398,
author = {Dömel, R.},
title = {{U}ntersuchung der {T}ransporteigenschaften von
{SNS}-{K}ontakten mit {S}r{R}u{O}$_{3}$-{B}arriere},
volume = {3009},
number = {Juel-3009},
address = {Jülich},
publisher = {Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag},
reportid = {FZJ-2019-00257, Juel-3009},
series = {Berichte des Forschungszentrums Jülich},
pages = {114 p.},
year = {1994},
abstract = {In der vorliegenden Arbeit wird die Technologie zur
Herstellung von SNS-Kontakten mit SrRuO$_{3}$-Barriere und
die Untersuchungen der Transporteigenschaften vorgestellt.
Es wurde ein Prozeß zur Herstelhmg c-Achsen orientierter
YBCO-SrRuO$_{3}$-Multilagen entwickelt. Es konnten
SrRuO$_{3}$-Filme und YBCO-SrRuO$_{3}$-Multilagen guter
Kristallqualität mit nahezu ausscheidungsfreien
Oberflächen hergestellt werden. Die Problematik bei diesem
Herstellungsprozeß besteht darin, daß die Diffusion von
Sauerstoff durch die SrRuO$_{3}$-Zwischenschicht mit sehr
hohen Aktivierungsenergien verbunden ist und die unteren
YBCO-Filme in den Multilagen erst durch eine spezielle
Temperung bei hohen Temperaturen supraleitend werden.
Außerdem besteht die Gefahr einer Interdiffusion von Ru in
den YBCO-Film, die eine Abscheidung der SrRuO$_{3}$-Filme
bei niedrigen Temperaturen erforderlich macht. In
Zusammenarbeit mit dem Institut für Mikrostruktur-Forschung
erfolgte die Untersuchung der YBCO-SrRuO$_{3}$-Multilagen
durch Hochauflösende Transmissions-Elektronen-Mikroskopie.
Diese Untersuchungen haben gezeigt, daß sich atomar scharfe
CO-SrRuO$_{3}$-Grenzflächen ausbilden. Durch Simulation der
atomaren Struktur konnte gezeigt werden, daß an der
Grenzfläche keine Interdiffusion erfolgt und nur minimale
Spannungen auftreten. Die Oberfläche der YBCO-Filme
schließt stets mit einer BaO-Ebene, also einem Isolator ab,
so daß eine starke Unterdrückung des Ordnungsparameters an
einer (001)-Grenzfläche erfolgen muß. Andererseits zeigen
die Filmoberflächen eine hohe Dichte atomarer Stufen, die
eine Möglichkeit zur Ankopplung an die ab-Ebenen bieten. Es
werden verschiedene Technologien entwickelt, die eine
Untersuchung epitaktischer Barrieren mit ex-situ und in-situ
Grenzflächen ermöglichen. Dazu wurde zum einen ein Prozeß
entwickelt, der die Herstellung planarer Kontakte aus
YBCO-Normalleiter-Multilagen bis zu Kontaktflächen von
2$\mu$m $\cdot$ 2$\mu$m ohne T$_{c}$-Verringerung
ermöglicht. Desweiteren wurde ein Prozeß zur Herstellung
von Rampen-Kontakten mit ionengeätzten YBCO-Rampen
entwickelt. Die Schädigung der Rampe durch den
lonenätzprozeß konnte sominimiert werden, daß ohne
Bandare kritische Stromdichters von 1 $\cdot$
10$^{6}$Acm$^{2}$ bei 77K erreicht werden konnten. Mit
YBCO-Rampen, die durch naßchemisches Ätzen mit
Brom-Ethanol erzeugt wurden, konnten ohne Barriere kritische
Ströme der gleichen Größenordnung erreicht werden. Die
Eigenschaften der planaren Kontakte aus a-Achsen
orientierten YBCO-PrBCO-Multilagen wären durch eine hohe
Dichte supraleitender Kurzschlüsse geprägt, da keine
a-Achsenorientierten Filme ausreichend guter
Oberflächenqualität verfügbar waren. Deshalb wurde am
Beispiel der YBCO-Au-Grenzflächen untersucht, ob eine
Proximity-Kopplung an der Oberfläche eines c-Achsen
orientierten Filmes möglich ist. Es wurden planare
YBCO-Au-Nb-Kontakte mit c-Achsen orientierten YBCO-Filmen
hergestellt, die RSJ-förmige Kennlinien und gut
ausgeprägte Shapiro-Stufen zeigten. Durch die regelmäßige
Verteilung der atomaren Stufen auf den Filmoberflächen
konnte ein Skalieren der kritischen Ströme mit der
Kontaktfläche beobachtet werden. Obwohl die kritischen
Stromdichten 1-2 Größenordnungen [...]},
cin = {PRE-2000},
cid = {I:(DE-Juel1)PRE2000-20140101},
pnm = {899 - ohne Topic (POF3-899)},
pid = {G:(DE-HGF)POF3-899},
typ = {PUB:(DE-HGF)3 / PUB:(DE-HGF)29},
url = {https://juser.fz-juelich.de/record/859398},
}