Hauptseite > Normsätze > Projekte > Datensatz #884626
 
Modelling the Valency Change Memory Effect in Resistive Switching Random Access Memory (RRAM).

CoordinatorWaser, R.
Grant period2020-05-01 - 2021-04-30
Funding bodyVSR/JARA
IdentifierG:(DE-Juel1)jpgi70_20200501

⇦ Modelling the Valency Change Memory Effect in Resistive Switching Random Access Memory (RRAM)

Note: JSC computation time grant
 

Recent Publications

All known publications ...
Download: BibTeX | EndNote XML,  Text | RIS | 

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Journal Article  ;  ;  ;  ;  ;
HRS Instability in Oxide-Based Bipolar Resistive Switching Cells
IEEE transactions on electron devices 67(10), 4208 - 4215 () [10.1109/TED.2020.3018096]  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

All known publications ...
Download: BibTeX | EndNote XML,  Text | RIS | 

 Datensatz erzeugt am 2020-09-21, letzte Änderung am 2020-09-21
Ähnliche Datensätze



Dieses Dokument bewerten:

Rate this document:
1
2
3
4
5
 
(Bisher nicht rezensiert)
JuSER :: Suchen :: Absenden :: Personalisieren :: Hilfe
Powered by Invenio v1.1.7 | join2_v2508-8-g6303aad
Verwaltet von juser@fz-juelich.de

Impressum | Data Privacy Policy
Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch  English