000891696 001__ 891696
000891696 005__ 20240925204953.0
000891696 0247_ $$aG:(GEPRIS)390247238$$d390247238
000891696 035__ $$aG:(GEPRIS)390247238
000891696 040__ $$aGEPRIS$$chttp://gepris.its.kfa-juelich.de
000891696 150__ $$aIII-V Halbleiter Nanodrähte: Korrelation von lokaler elektronischer Struktur, Leitfähigkeit und Ladungsträger Lebensdauer$$y2018 - 2024
000891696 371__ $$aProfessor Dr. Mario Dähne
000891696 371__ $$aPrivatdozent Dr. Philipp Georg Ebert
000891696 450__ $$aDFG project G:(GEPRIS)390247238$$wd$$y2018 - 2024
000891696 5101_ $$0I:(DE-588b)2007744-0$$aDeutsche Forschungsgemeinschaft$$bDFG
000891696 680__ $$aHalbleiter Nanodrähte sind vielversprechende Bausteine für neuartige elektronische und optoelektronische Bauelemente. Sie weisen geometrische und elektronische Eigenschaften sowie unterschiedliche kristallographische Polyytyp-Strukturen auf, die für viele potentielle Anwendungen von der Solarzelle bis hin zur Nanoelektronik maßgeschneidert werden können. Wesentliche fundamentale Eigenschaften von Nanodrähten sind jedoch noch nicht ausreichend bekannt. Davon sind insbesondere zwei für Anwendungen relevant: Erstens, die Nanodrahtgeometrie führt zu einem sehr hohen Oberflächen-zu-Volumen-Verhältnis. Dementsprechend spielen Oberflächeneffekte, wie beispielsweise das Fermi-Level-Pinning, eine große Rolle für die resultierenden Eigenschaften von Nanodrähten und der daraus hergestellten Bauelemente. Zweitens, Nanodrähte weisen neben bewusst eingewachsenen Hetero-Grenzflächen häufig unterschiedliche Polytyp-Strukturen, Zwillingsgrenzen und Stapelfehler auf. Diese beeinflussen die elektronischen Eigenschaften, erzeugen Band-Verschiebungen und bestimmten dadurch die Leitfähigkeit und die Ladungsträgerlebensdauer. Das Ziel diese Projektes somit die Untersuchung der elektronischen Eigenschaften der Seitenfacetten, der Defekte und der Grenzflächen mit atomarer Auflösung und deren Korrelation mit der Leitfähigkeit und der Ladungsträgerlebensdauer.Im Speziellen sind die Untersuchungen folgender Aspekte geplant: (i) Eine mögliches Fermi-Level-Pinning, dessen energetische Position und physikalische Ursache an Seitenfacetten von Nanodrähten mit unterschiedlicher ternärer III-V-Komposition sowie Polytyp-Strukturen, (ii) Grenzflächenzustände, Bandverschiebungen sowie Bandanpassungen in der Nähe von Heterogrenzflächen, (iIi) elektronische Eigenschaften planarer Defekte und (iv) die Wechselwirkung von Oberflächen-Fermi-Level-Pinning mit internen Grenzflächen und Defekten. In einem zweiten Schritt sollen diese Eigenschaften mit der Leitfähigkeit und der Ladungsträgerlebensdauer korreliert werden. Das zentrale Ziel ist dabei die Aufklärung, wie ein extrinsisches Oberflächen-Pinning, Grenzflächen und planare Defekte sowie gezielt eingebaute Punktdefekte die Leitfähigkeit und Ladungsträgerlebensdauern in Nanodrähten beeinflussen.
000891696 909CO $$ooai:juser.fz-juelich.de:891696$$pauthority$$pauthority:GRANT
000891696 980__ $$aG
000891696 980__ $$aAUTHORITY