TY  - JOUR
AU  - Han, Yi
AU  - Sun, Jingxuan
AU  - Xi, Fengben
AU  - Bae, Jin-Hee
AU  - Grützmacher, Detlev
AU  - Zhao, Qing-Tai
TI  - Cryogenic characteristics of UTBB SOI Schottky-Barrier MOSFETs
JO  - Solid state electronics
VL  - 194
SN  - 0038-1101
CY  - Oxford [u.a.]
PB  - Pergamon, Elsevier Science
M1  - FZJ-2022-04212
SP  - 108351 -
PY  - 2022
N1  - Bitte Post-print ergänzen
LB  - PUB:(DE-HGF)16
UR  - <Go to ISI:>//WOS:000804752300010
DO  - DOI:10.1016/j.sse.2022.108351
UR  - https://juser.fz-juelich.de/record/910862
ER  -