Elektronische Bauelemente auf Basis des 2D-Materials schwarzer Phosphor - lagenanzahlabhängige Eigenschaften
Coordinator
Dr.-Ing. Andreas Hutzler ; Professor Dr. Vojislav Krstic
Grant period
2020 - 2025
Funding body
Deutsche Forschungsgemeinschaft
DFG
Identifier
G:(GEPRIS)454726051
Note: Zweidimensionale Schichtmaterialien zeigen aufgrund ihrer außerordentlichen Eigenschaften enormes Potential hinsichtlich des Einsatzes in elektronischen Bauelementen. Die Verwendung dieser Materialien ist jedoch noch immer mit erheblichen Herausforderungen verbunden, insbesondere da diese Schichtmaterialien lagenanzahlabhängige Eigenschaften aufweisen, welche die potentiellen Bauelementefunktionalitäten maßgeblich bestimmen. Systematische Studien zu Herstellungsprozessen von Bauelemente, einschließlich deren Optimierung, sowie deren resultierender elektrischer Funktionalitäten unter Berücksichtigung der Lagenanzahlund möglicher Anisotropien fehlen bis jetzt weitgehend. Derartige umfassende Untersuchungen sind intrinsisch komplex und herausfordernd, weil dabei zerstörungsfreie Methoden zur Bestimmung der Lagenanzahl von im Bauelement integrierten 2D Materialien und Messungen der lagenanzahlabhängigen elektrischenEigenschaften kombiniert und aufeinander abgestimmt werden müssen. Im hier beantragten Projekt werden analytische Reflektanzspektroskopie und elektrische Transportmessungen an auf dem 2D-Material schwarzer Phosphor basierenden Bauelementen methodisch zusammengeführt, um dadurch den Einfluss der Einzellagenanzahl auf die Bauelementeigenschaften eindeutig zu bestimmen. Dabei werden Bauelemente unterschiedlicher Architekturen in Hinblick auf deren lagenabhängigen Eigenschaften und der Anisotropie des schwarzen Phosphors untersucht. Diese Eigenschaften beinhalten sowohl rein elektronische als auchvalleytronische Aspekte. Die Anzahl der Einzellagen wird hierbei mit einem speziellen optischen Verfahren, welches die spektralen Reflektanzeigenschaften des Materials ausnutzt, ermittelt. Zur Variation der Bauelementearchitekturen kommen laterale undvertikale Kontaktierung, verschiedene Gate-Dielektrika, Tunnelkontakte und unterschiedliche Oberflächenpassivierungen zum Einsatz. Als grundlegende und zur elektrischen Evaluation genutzte Funktionsprinzipien werden derFeld-Effekt, der Hall-Effekt und der Valley-Hall-Effekt ausgenutzt. Die gewonnenen Erkenntnisse sollen dazu beitragen ein grundlegendes Verständnis der Eigenschaften von 2D-Materialien hinsichtlich ihrer Nutzbarkeit in der modernen und zukunftsorientierten Elektronik zu schaffen.
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