Effect of surface gallium termination on the formation and emission energy of an InGaAs wetting layer during the growth of InGaAs quantum dots by droplet epitaxy

Gast :: Anmelden JuSER
		Suchen		Absenden		Personalisieren Ihre Benachrichtigungen Ihre Körbe Ihre Suchanfragen		Hilfe

Hauptseite > Publikationsdatenbank > Effect of surface gallium termination on the formation and emission energy of an InGaAs wetting layer during the growth of InGaAs quantum dots by droplet epitaxy > Zugang zum Volltext

Information
Diskussion
Dateien
Plots

Effect of surface gallium termination on the formation and emission energy of an InGaAs wetting layer during the growth of InGaAs quantum dots by droplet epitaxy - FZJ-2023-00960

Main document Datei(en):

Ähnliche Datensätze

JuSER :: :: :: ::
Powered by v1.1.7 |
Verwaltet von

Impressum | Data Privacy Policy

Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch English