000948128 001__ 948128
000948128 005__ 20230130120223.0
000948128 0247_ $$aG:(GEPRIS)202259141$$d202259141
000948128 035__ $$aG:(GEPRIS)202259141
000948128 040__ $$aGEPRIS$$chttp://gepris.its.kfa-juelich.de
000948128 150__ $$aResistives Schalten von amorphen, nichtstöchiometrischen Oxidfilmen (A06)$$y2011 - 2019
000948128 371__ $$aProfessor Dr. Manfred Martin
000948128 450__ $$aSFB 917 A06$$wd$$y2011 - 2019
000948128 5101_ $$0I:(DE-588b)2007744-0$$aDeutsche Forschungsgemeinschaft$$bDFG
000948128 550__ $$0G:(GEPRIS)167917811$$aSFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"$$wt
000948128 680__ $$aZiel dieses Projektes ist das grundlegende Verständnis des resistiven Schaltens im Volumen von amorphen, nichtstöchiometrischen Oxidfilmen. Dazu soll eine Kombination experimenteller und theoretischer Untersu-chungen erfolgen, um die unterschiedlichen Aspekte der Schaltmechanismen im Volumen aufzuklären und mit der Schaltkinetik beim filamentären Schalten zu vergleichen. Weiterhin sollen die in der ersten Periode für amorphes Galliumoxid erzielten Ergebnisse auf eine breitere Klasse von Oxiden verallgemeinert werden.
000948128 909CO $$ooai:juser.fz-juelich.de:948128$$pauthority:GRANT$$pauthority
000948128 980__ $$aG
000948128 980__ $$aAUTHORITY