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001     948128
005     20230130120223.0
024 7 _ |a G:(GEPRIS)202259141
|d 202259141
035 _ _ |a G:(GEPRIS)202259141
040 _ _ |a GEPRIS
|c http://gepris.its.kfa-juelich.de
150 _ _ |a Resistives Schalten von amorphen, nichtstöchiometrischen Oxidfilmen (A06)
|y 2011 - 2019
371 _ _ |a Professor Dr. Manfred Martin
450 _ _ |a SFB 917 A06
|w d
|y 2011 - 2019
510 1 _ |a Deutsche Forschungsgemeinschaft
|0 I:(DE-588b)2007744-0
|b DFG
550 _ _ |0 G:(GEPRIS)167917811
|a SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
|w t
680 _ _ |a Ziel dieses Projektes ist das grundlegende Verständnis des resistiven Schaltens im Volumen von amorphen, nichtstöchiometrischen Oxidfilmen. Dazu soll eine Kombination experimenteller und theoretischer Untersu-chungen erfolgen, um die unterschiedlichen Aspekte der Schaltmechanismen im Volumen aufzuklären und mit der Schaltkinetik beim filamentären Schalten zu vergleichen. Weiterhin sollen die in der ersten Periode für amorphes Galliumoxid erzielten Ergebnisse auf eine breitere Klasse von Oxiden verallgemeinert werden.
909 C O |o oai:juser.fz-juelich.de:948128
|p authority:GRANT
|p authority
980 _ _ |a G
980 _ _ |a AUTHORITY

LibraryCollectionCLSMajorCLSMinorLanguageAuthor
Marc 21