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Poster (Other) FZJ-2024-05565
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Current Conduction Mechanisms of h-BN Based Volatile Memristors and its Consequences for the Resistive Switching Mechanism

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2024

International Conference on Neuromorphic Computing and Engineering, ICNCE, AachenAachen, Germany, 3 Jun 2024 - 6 Jun 20242024-06-032024-06-06

Contributing Institute(s):
  1. Elektronische Materialien (PGI-7)
  2. JARA-FIT (JARA-FIT)
  3. Materialwissenschaft u. Werkstofftechnik (ER-C-2)
Research Program(s):
  1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
  2. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
  3. BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)

Appears in the scientific report 2024
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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Poster
JARA > JARA > JARA-JARA\-FIT
Institutssammlungen > ER-C > ER-C-2
Institutssammlungen > PGI > PGI-7
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
 Datensatz erzeugt am 2024-09-18, letzte Änderung am 2024-09-18
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