Conference Presentation (Invited)

FZJ-2025-00311

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Origin of the time relaxation of volatile valence change memory

Hellwig, J.FZJ* ; Funck, C. ; Spithouris, D.FZJ* ; Siegel, S.FZJ* ; Dittmann, R.FZJ*

2024

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)
3. Neuromorphic Compute Nodes (PGI-14)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
3. BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
4. DFG project G:(GEPRIS)422738993 - SPP 2262: Memristive Bauelemente für intelligente technische Systeme (422738993) (422738993)
5. DFG project G:(GEPRIS)167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)

Appears in the scientific report 2024

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