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DFG project G:(GEPRIS)422738993

SPP 2262 Memristive Bauelemente für intelligente technische Systeme

CoordinatorProfessor Dr. Ronald Tetzlaff
Grant period2020 -
Funding bodyDeutsche Forschungsgemeinschaft
 DFG
IdentifierG:(GEPRIS)422738993

Note: Das Schwerpunktprogramm "Memristive Devices Toward Smart Technical Systems" (MemrisTec, SPP 2262) wurde vom Senat der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) eingerichtet. Das Programm begann 2021 und ist auf sechs Jahre angelegt (zwei Phasen mit einer Laufzeit von jeweils drei Jahren). Der Projektantrag wurde von Prof. Ronald Tetzlaff initiiert und koordiniert. Wir schlagen ein Koordinationsprojekt für die zweite Phase von MemrisTec vor, das sich der aktiven Stimulation, Koordination und dem Wissensaustausch zwischen den Projekten widmet, aber auch dem Ausbau der Softwareplattform für das Schaltungsdesign. Die MemrisTec Software Plattform stellt Simulationswerkzeuge für Schaltkreise bereit, die in MemrisTec-Projekten entwickelte Modelle bereithält. Mittels Cloudserver und Softwareplattform werden Informationen, Modellimplementierungen und Daten zur Verfügung gestellt, um die Kommunikation zwischen den Projektpartnern zu erleichtern. Weiterhin wird die Initiierung und Koordination von gemeinsamen wissenschaftlichen Publikationen, die in Projektworkshops vorgestellt werden, im Rahmen des Koordinationsprojektes erfolgen. Die Förderung des wissenschaftlichen Nachwuchses und Verbesserungen bei der Gleichstellung der Geschlechter in einem internationalen Umfeld sind wichtige Bestandteile der geplanten Aktivitäten. Schließlich wird die interaktive Webseite memristec.de weiter gepflegt und Informationen über Social Media (Mastodon, LinkedIn und Twitter) verteilt. Special Sessions auf internationalen Konferenzen (z.B. MEMRISYS, ISCAS) werden in Zusammenarbeit mit den Projektpartnern organisiert sowie Demonstratoren auf der Messe embedded world in Nürnberg präsentiert.
   

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http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Poster (Other)  ;  ;
Volatile Memristive Devices with Tunable Temporal Dynamics for Event-Based Sensing
International Conference on Neuromorphic Computing and Engineering, ICNCE, AachenAachen, Germany, 28 Jun 2026 - 2 Jul 20262026-06-282026-07-02 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Invited)  ;  ;  ;  ;
Disentangling Electronic and Ionic Behaviour in Redox-based Memristive Devices
CIMTEC 2026, PerugiaPerugia, Italy, 25 Jun 2026 - 28 Jun 20262026-06-252026-06-28 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Other)  ;  ;  ;
Volatile Amorphous-SrTiO3 Devices with Tunable Decay Time for Event-based Sensing
CIMTEC 2026, PerugiaPerugia, Italy, 25 Jun 2026 - 28 Jun 20262026-06-252026-06-28 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Panel discussion)
Hardware: Emissionen, Wasserverbrauch, neuromorphe Chips KI nachhaltig gestalten: Energieeffiziente Rechenkonzepte und verantwortungsvolle Materialstrategien
Zukunft Umwelt Gesellschaft, BerlinBerlin, Germany, 6 Oct 2026 - 6 Oct 20262026-10-062026-10-06 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Plenary/Keynote)
Embracing Ion Dynamics: CMOS-integrated Memristors for Neuro-Inspired Circuits
European Solid State Electronics Research Conference, ESSERC 2026, Palma de MallorcaPalma de Mallorca, Spain, 7 Sep 2026 - 11 Sep 20262026-09-072026-09-11 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Invited)
Memristors and beyond von Neumann Computing
Transparent Conductive Oxides – Fundamentals and Applications, TOC2026, LeipzigLeipzig, Germany, 28 Sep 2026 - 2 Oct 20262026-09-282026-10-02 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Journal Article  ;  ;  ;
Two Coexisting Pathways to Volatility in Valence‐Change Memory Devices
Advanced functional materials 36(77), e77515 () [10.1002/adfm.77515]  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Journal Article  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;
Reduced Variability in Threshold Switches Using Heterostructures of SiO x and Vertically Aligned MoS 2
Advanced electronic materials 12(7), e00800 () [10.1002/aelm.202500800] OpenAccess  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Invited)  ;
Diffusive valence change memory: Nanoionic mechanisms and prospects for neuroinspired computing
European Materials Research Society Meeting, StrasbourgStrasbourg, France, 25 May 2026 - 29 May 20262026-05-252026-05-29 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Invited)
Engineering band-alignment in memristive oxide heterostructures
Materials for Sustainable Development Conference, MATSUS26, BarcelonaBarcelona, Spain, 23 Mar 2026 - 27 Mar 20262026-03-232026-03-27 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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 Record created 2023-01-17, last modified 2026-10-05
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