TY  - JOUR
AU  - Demarina, Nataliya
AU  - Karimzadah, Soraya
AU  - Bennemann, Benjamin
AU  - Krause, Christoph
AU  - Jalil, Abdur Rehman
AU  - Hartmann, Heinrich
AU  - Kardynał, Beata
AU  - Lepsa, Mihail Ion
AU  - Gruetzmacher, Detlev
TI  - In situ Al2O3 atomic layer deposition on pristine (0 0 1) GaAs: interface chemistry and its implication on charge carrier recombination and Fermi level pinning
JO  - Applied surface science
VL  - 720
SN  - 0169-4332
CY  - Amsterdam
PB  - Elsevier
M1  - FZJ-2025-05438
SP  - 165114 -
PY  - 2026
LB  - PUB:(DE-HGF)16
DO  - DOI:10.1016/j.apsusc.2025.165114
UR  - https://juser.fz-juelich.de/record/1049653
ER  -