Hauptseite > Publikationsdatenbank > Siliziumkarbid-Dünnschichten, hergestellt durch CVD mittels flüssigen Präkursor enthaltend Silizium und Kohlenstoff
 
http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
Siliziumkarbid-Dünnschichten, hergestellt durch CVD mittels flüssigen Präkursor enthaltend Silizium und Kohlenstoff

 ;

2026

Patent No.: DE 102024127353 A1; 102024127353.4

Contributing Institute(s):
  1. Photovoltaik (IMD-3)
Research Program(s):
  1. 1212 - Materials and Interfaces (POF4-121) (POF4-121)

Appears in the scientific report 2026
Click to display QR Code for this record

The record appears in these collections:
Institutssammlungen > IMD > IMD-3
Dokumenttypen > Patente > Patente
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
 Datensatz erzeugt am 2026-06-15, letzte Änderung am 2026-06-17
Ähnliche Datensätze


Externer link:
Volltext herunterladen
Volltext
Dieses Dokument bewerten:

Rate this document:
1
2
3
4
5
 
(Bisher nicht rezensiert)
JuSER :: Suchen :: Absenden :: Personalisieren :: Hilfe
Powered by Invenio v1.1.7 | join2_v2606a
Verwaltet von juser@fz-juelich.de

Impressum | Data Privacy Policy
Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch  English