Contribution to a conference proceedings

FZJ-2026-03869

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Novel M-CNN design fostering gradual switching of InGaZnO(IGZO)-based memristive devices

Yuan, P.FZJ* ; Schnieders, K.FZJ* ; Wang, Y. ; Ntinas, V. ; Pereira, M. E. ; Rana, V.FZJ* ; Ascoli, A. ; Tetzlaff, R. ; Dittmann, R.FZJ* ; Menzel, S.FZJ*

2026
IEEE

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Please use a persistent id in citations: doi:10.1109/ISCAS66217.2026.11562042

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)
3. JARA Institut Green IT (PGI-10)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
3. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
4. BMFTR 03ZU2106AB - NeuroSys: KI-anwendungsspezifische Technologiereifung memristiver Bauteile (Projekt A) - Teilvorhaben B (03ZU2106AB) (03ZU2106AB)
5. DFG project G:(GEPRIS)528378584 - TRR 404: Zukunftsweisende Elektronik durch aktive Bauelemente in drei Dimensionen (Active-3D) (528378584) (528378584)
6. DFG project G:(GEPRIS)441957207 - Hardwarerealisierung von universellen speicherbasierten memristiven zellularen Rechnerstrukturen (441957207) (441957207)

Appears in the scientific report 2026

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