Contribution to a conference proceedings

FZJ-2026-04418

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png The Influence of Residual Ion Drift during Programming of Chip-Integrated Nanoscale HfO2-based Memristive Devices

Artner, O.FZJ* ; Cüppers, F. ; Son, S. ; Chen, Y.FZJ* ; Liu, X.FZJ* ; Shi, H.FZJ* ; Bengel, C. ; Nielinger, D.FZJ* ; Zambanini, A.FZJ* ; Wiefels, S.FZJ* ; Menzel, S.FZJ*

2026

---

Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)
3. Integrated Computing Architectures (PGI-4)
4. JARA Institut Green IT (PGI-10)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
3. BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
4. BMFTR 03ZU2106AB - NeuroSys: KI-anwendungsspezifische Technologiereifung memristiver Bauteile (Projekt A) - Teilvorhaben B (03ZU2106AB) (03ZU2106AB)
5. DFG project G:(GEPRIS)528378584 - TRR 404: Zukunftsweisende Elektronik durch aktive Bauelemente in drei Dimensionen (Active-3D) (528378584) (528378584)

Appears in the scientific report 2026

---