TY  - JOUR
AU  - Yu, W.
AU  - Zhang, B.
AU  - Zhao, Q.T.
AU  - Buca, D.
AU  - Hartmann, J.-M.
AU  - Lupták, R.
AU  - Mussler, G.
AU  - Fox, A.
AU  - Bourdelle, K.K.
AU  - Wang, X.
AU  - Mantl, S.
TI  - Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI
JO  - IEEE electron device letters
VL  - 33
SN  - 0741-3106
CY  - New York, NY
PB  - IEEE
M1  - PreJuSER-111882
SP  - 758 - 760
PY  - 2012
N1  - Record converted from VDB: 16.11.2012
LB  - PUB:(DE-HGF)16
UR  - <Go to ISI:>//WOS:000305835000006
DO  - DOI:10.1109/LED.2012.2190035
UR  - https://juser.fz-juelich.de/record/111882
ER  -