Contribution to a conference proceedings/Contribution to a book PreJuSER-112047

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
Si/SiGe Hetero-Structure Tunneling Field Effect Transistors with In-Situ Doped SiGe Source

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2012

Proc. 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), pp.237-240, 2012


Note: Record converted from VDB: 16.11.2012

Contributing Institute(s):
  1. Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
  2. Jülich-Aachen Research Alliance - Fundamentals of Future Information Technology (JARA-FIT)
Research Program(s):
  1. Grundlagen für zukünftige Informationstechnologien (P42)

Appears in the scientific report 2012
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Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
JARA > JARA > JARA-JARA\-FIT
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
Dokumenttypen > Bücher > Bücher
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Publikationsdatenbank

 Datensatz erzeugt am 2012-11-16, letzte Änderung am 2018-02-11



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