TY  - CONF
AU  - Wirths, Stephan
AU  - Buca, Dan Mihai
AU  - Tiedemann, Andreas
AU  - Bernardy, Patric
AU  - Holländer, Bernhard
AU  - Stoica, Toma
AU  - Mussler, Gregor
AU  - Breuer, U
AU  - Mantl, Siegfried
TI  - Low temperature RPCVD epitaxial growth of Si 1-xGe x and Ge using Si2H6 and Ge2H6
M1  - FZJ-2012-00184
PY  - 2012
T2  - International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
CY  - 4 Jun 2012 - 6 Dec 2012, UC Berkeley (USA)
Y2  - 4 Jun 2012 - 6 Dec 2012
M2  - UC Berkeley, USA
LB  - PUB:(DE-HGF)26
UR  - https://juser.fz-juelich.de/record/127118
ER  -