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Proceedings FZJ-2012-00186
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Towards future III-nitride based THz OEICs in the UV range

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2012

ISBN: 978-1-4673-1195-3

The ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM '12, SmoleniceSmolenice, Slovakia, 11 Nov 2012 - 15 Nov 20122012-11-112012-11-15

Contributing Institute(s):
  1. Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
  2. JARA-FIT (JARA-FIT)
Research Program(s):
  1. 421 - Frontiers of charge based Electronics (POF2-421) (POF2-421)

Appears in the scientific report 2012
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The record appears in these collections:
JARA > JARA > JARA-JARA\-FIT
Dokumenttypen > Bücher > Proceedings
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
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 Datensatz erzeugt am 2012-12-03, letzte Änderung am 2021-01-29
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