Conference Presentation PreJuSER-23354

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
Comparison of the resistive switching behavior in Nb2O5 thin films grown by atomic layer deposition and sputtering

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2012

2nd Winterschool of Enhance
Seminar, Helsinki, FinlandHelsinki, Finland, 9 Jan 20122012-01-09


Note: Record converted from VDB: 16.11.2012

Contributing Institute(s):
  1. Elektronische Materialien (PGI-7)
  2. Jülich-Aachen Research Alliance - Fundamentals of Future Information Technology (JARA-FIT)
Research Program(s):
  1. Grundlagen für zukünftige Informationstechnologien (P42)

Appears in the scientific report 2012
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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
JARA > JARA > JARA-JARA\-FIT
Institutssammlungen > PGI > PGI-7
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank

 Datensatz erzeugt am 2012-11-13, letzte Änderung am 2018-02-10



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