000025528 001__ 25528
000025528 005__ 20180210133900.0
000025528 037__ $$aPreJuSER-25528
000025528 1001_ $$0P:(DE-Juel1)VDB14702$$aDona, E.$$b0$$uFZJ
000025528 245__ $$aMBE growth of AlGaN/GaN heterostructures for resonant tunneling diode applications
000025528 260__ $$c2002
000025528 3367_ $$0PUB:(DE-HGF)10$$2PUB:(DE-HGF)$$aDiploma Thesis
000025528 3367_ $$02$$2EndNote$$aThesis
000025528 3367_ $$2DataCite$$aOutput Types/Supervised Student Publication
000025528 3367_ $$2DRIVER$$amasterThesis
000025528 3367_ $$2ORCID$$aSUPERVISED_STUDENT_PUBLICATION
000025528 3367_ $$2BibTeX$$aMASTERSTHESIS
000025528 500__ $$aRecord converted from VDB: 12.11.2012
000025528 502__ $$aModena e Reggio Emilia, Univ., Dipl., 2002$$bDiplom (Univ.)$$cUniv. Modena e Reggio Emilia$$d2002
000025528 536__ $$0G:(DE-Juel1)FUEK252$$2G:(DE-HGF)$$aMaterialien, Prozesse und Bauelemente für die  Mikro- und Nanoelektronik$$cI01$$x0
000025528 655_7 $$aHochschulschrift$$xDiploma Thesis (Univ.)
000025528 909CO $$ooai:juser.fz-juelich.de:25528$$pVDB
000025528 9131_ $$0G:(DE-Juel1)FUEK252$$bInformation$$kI01$$lInformationstechnologie mit nanoelektronischen Systemen$$vMaterialien, Prozesse und Bauelemente für die  Mikro- und Nanoelektronik$$x0
000025528 9141_ $$y2002
000025528 9201_ $$0I:(DE-Juel1)VDB41$$d31.12.2006$$gISG$$kISG-1$$lInstitut für Halbleiterschichten und Bauelemente$$x0
000025528 970__ $$aVDB:(DE-Juel1)16780
000025528 980__ $$aVDB
000025528 980__ $$aConvertedRecord
000025528 980__ $$adiploma
000025528 980__ $$aI:(DE-Juel1)PGI-9-20110106
000025528 980__ $$aUNRESTRICTED
000025528 981__ $$aI:(DE-Juel1)PGI-9-20110106