Talk (non conference)

PreJuSER-28245

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Grundlegende Prozesse bei der Epitaxie von Si und Ge auf Silizium : STM Untersuchungen während des Wachstums

Voigtländer, B.FZJ*

2000

Note: Record converted from VDB: 12.11.2012

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Contributing Institute(s):

1. Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik (IGV)

Research Program(s):

1. Grenzflächenaspekte der Informationstechnik (25.35.0)

Appears in the scientific report 2000

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