Home > Publications database > Grundlegende Prozesse bei der Epitaxie von Si und Ge auf Silizium : STM Untersuchungen während des Wachstums > print

001     28245
005     20170601200017.0
037 _ _ |a PreJuSER-28245
100 1 _ |a Voigtländer, B.
|0 P:(DE-Juel1)VDB5601
|b 0
|u FZJ
111 2 _ |c Berlin
|d 2000-01-28
245 _ _ |a Grundlegende Prozesse bei der Epitaxie von Si und Ge auf Silizium : STM Untersuchungen während des Wachstums
260 _ _ |c 2000
295 1 0 |a Festkörperphysikalisches Kolloquium FU-Berlin
336 7 _ |a Talk (non conference)
|0 PUB:(DE-HGF)31
|2 PUB:(DE-HGF)
336 7 _ |a Conference Paper
|0 33
|2 EndNote
336 7 _ |a Other
|2 DataCite
336 7 _ |a Other
|2 DINI
336 7 _ |a INPROCEEDINGS
|2 BibTeX
336 7 _ |a LECTURE_SPEECH
|2 ORCID
500 _ _ |a Record converted from VDB: 12.11.2012
500 _ _ |3 Talk (non conference)
536 _ _ |a Grenzflächenaspekte der Informationstechnik
|c 25.35.0
|2 G:(DE-HGF)
|0 G:(DE-Juel1)FUEK262
|x 0
909 C O |o oai:juser.fz-juelich.de:28245
|p VDB
913 1 _ |k 25.35.0
|v Grenzflächenaspekte der Informationstechnik
|l Grundlagenforschung zur Informationstechnik
|b Informationstechnik
|0 G:(DE-Juel1)FUEK262
|x 0
914 1 _ |y 2000
920 1 _ |k IGV
|l Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik
|d 31.12.2000
|g IGV
|0 I:(DE-Juel1)VDB167
|x 0
970 _ _ |a VDB:(DE-Juel1)21552
980 _ _ |a VDB
980 _ _ |a ConvertedRecord
980 _ _ |a talk
980 _ _ |a I:(DE-Juel1)VDB167
980 _ _ |a UNRESTRICTED

LibraryCollectionCLSMajorCLSMinorLanguageAuthor
Marc 21